SMIC completerà lo sviluppo di chip a 5 nm entro il 2025?
Secondo quanto annunciato recentemente, sembra che SMIC abbia incontrato qualche intoppo lungo il percorso, soprattutto perché non ha accesso alle apparecchiature EUV avanzate, che le consentirebbero di perseguire la produzione di massa di wafer con una litografia molto più sofisticata. Tuttavia, deve trovare un modo per superare il limite dei 7 nm e, secondo un […] L'articolo SMIC completerà lo sviluppo di chip a 5 nm entro il 2025? proviene da Vgmag.it.


Secondo quanto annunciato recentemente, sembra che SMIC abbia incontrato qualche intoppo lungo il percorso, soprattutto perché non ha accesso alle apparecchiature EUV avanzate, che le consentirebbero di perseguire la produzione di massa di wafer con una litografia molto più sofisticata. Tuttavia, deve trovare un modo per superare il limite dei 7 nm e, secondo un nuovo rapporto, SMIC completerà lo sviluppo di chip a 5 nm nel 2025.
Ad esempio, i wafer da 5 nm di SMIC saranno fino al 50% più costosi di quelli di TSMC con lo stesso processo di produzione, mentre la resa sarà solo del 33%. Il prezzo di questi chip è un argomento che abbiamo già discusso in precedenza, ricordando anche che questo aumento è il risultato dell’utilizzo di apparecchiature DUV di vecchia generazione invece di EUV, che richiedono un patterning aggiuntivo per ottenere questa litografia con successo.
I passaggi aggiuntivi non solo richiederanno più tempo per sfornare wafer da 5 nm, ma ridurranno i rendimenti di SMIC, con un conseguente aumento del numero di “lotti difettosi”. Forse l’unico modo per uscire dalla tana del coniglio dei semiconduttori è che l’azienda cinese incroci le dita e speri che lo Stato sviluppi con successo le sue prime macchine EUV, che secondo quanto riferito entreranno in produzione di prova nel terzo trimestre del 2025. SiCarrier, un altro produttore di apparecchiature cinese legato a Huawei, starebbe lavorando a diversi sostituti adeguati per ASML che consentano alla regione di avviare con successo la produzione su larga scala di semiconduttori avanzati.
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