La Chine développe une mémoire flash 10 000 fois plus rapide avec une vitesse de 400 picosecondes, un exploit scientifique qui devra surmonter les défis de l'industrialisation
La Chine développe une mémoire flash 10 000 fois plus rapide avec une vitesse de 400 picosecondes, un exploit scientifique qui devra surmonter les défis de l'industrialisationUne équipe de scientifiques de l'université de Fudan a développé PoX, une innovation majeure dans le domaine du stockage : une mémoire flash non volatile atteignant des vitesses record de 400 picosecondes par écriture, équivalant à 25 milliards d'opérations chaque seconde. Cette performance, surpassant de 10 000 fois les...

un exploit scientifique qui devra surmonter les défis de l'industrialisation
Une équipe de scientifiques de l'université de Fudan a développé PoX, une innovation majeure dans le domaine du stockage : une mémoire flash non volatile atteignant des vitesses record de 400 picosecondes par écriture, équivalant à 25 milliards d'opérations chaque seconde. Cette performance, surpassant de 10 000 fois les...